Патент №2462537 - Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков и способ лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков с его использованием

Изобретение относится к технологии нанесения медных токопроводящих структур на поверхность печатных плат и может быть использовано в технологии локализованного нанесения металлических слоев или структур на поверхность диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники. Способ включает приготовление раствора меднения, облучение раствора с помощью сфокусированного в пятно 5-10 мкм на границе раздела диэлектрик-раствор луча аргонового лазера с одновременным перемещением моторизованного столика с пластиной диэлектрика со скоростью от 0,01 мм/с при мощности лазерного излучения, попадающего в раствор, от 100 мВт до 450 мВт. В качестве раствора меднения используют раствор, содержащий 0,01М CuCl2, 0,011М Трилон Б, 0.05М NaOH, 0,05М-0,1М HCHO, 0.003М парабензохинона (C5H4 O2), который берут в количестве не менее 0,1 мл/см 2. Облучение проводят при температуре 15-25°C, при этом указанным раствором металлизируют диэлектрическую пластину, вертикально расположенную к направлению лазерного луча. Изобретение позволяет металлизировать диэлектрическую поверхность без использования фотошаблона и внешних источников тока, при комнатной температуре с получением непрерывных медных дорожек, соответствующих платам класса точности пять и выше. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.

Патент №2462537, изображение 1
Патент №2462537, изображение 2
Патент №2462537, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК C23C 18/14Химическое нанесение покрытия путем разложения жидких соединений или растворов покрывающего вещества с образованием элементов, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии; контактная металлизация - разложение путем облучения, например путем фотолиза, корпускулярного излучения
МПК H05K 3/10Способы и устройства для изготовления печатных схем - путем нанесения токопроводящего материала на изоляционное основание так, что на последнем образуется требуемая токопроводящая схема