Патент №2463617 - Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта и способ ее изготовления

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта содержит рабочую поверхность, на которую поступает излучение, полупроводниковую базовую область с одним типом проводимости, металлические контакты, барьеры, разделяющие носители заряда и области с типом проводимости, противоположным типу проводимости базы, расположены в части рабочей поверхности, на которую поступает излучение, на указанных областях и барьерах расположены металлические контакты, барьеры и указанные области с контактами на них имеют форму гребенки из полосок с одинаковой шириной и эквидистантными расстояниями между ними, и структура характеризуется теоретической моделью расчета. Также предложен способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта. Изобретение обеспечивает упрощение процесса измерения, повышение точности и достоверности измерений, расширение спектрального диапазона и расширение функциональной значимости. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 3 ил.