Патент №2468468 - Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в вакуумной установке для изготовления полупроводниковой структуры установлены средства образования молекулярного потока исходного полупроводникового материала и устройство для нагрева подложки, содержащее подложкодержатель, нагреватель, подключенный к источнику питания токовводами, и перегородку со свойствами теплоотражения. Устройство для нагрева подложки размещено в установленной внутри рабочей вакуумной камеры дополнительной камере, корпус которой снабжен съемной крышкой, смонтированной с возможностью образования при ее открывании рабочего окна для формирования полупроводниковой структуры, при этом подложкодержатель установлен между съемной крышкой и нагревателем. Технический результат изобретения заключается в повышении качества изготовляемых полупроводниковых структур на подложках больших размеров за счет обеспечения однородного нагрева подложки и равномерного снижения температуры подложки от температуры отжига до температуры наращивания полупроводниковой структуры, а также в снижении энергозатрат на нагрев и отжиг подложек. 11 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.