Патент №2470257 - Способ определения толщины однородного нанослоя в инфракрасном излучении
Способ включает нанесение слоя на подложку, способную направлять поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), воздействие зондирующим излучением на подложку, преобразование излучения в ПЭВ, регистрацию изменений ПЭВ в результате пробега ей макроскопического расстояния х, расчет толщины слоя по результатам измерений и значениям оптических постоянных вещества слоя и материала подложки. ПЭВ преобразуют в объемную волну, совмещают пучок зондирующего излучения и объемную волну, регистрируют результирующую интенсивность интерферирующих волн до и после пробега ПЭВ расстояния х и рассчитывают толщину нанослоя с учетом приращения фазы ПЭВ на расстоянии х. Технический результат изобретения заключается в повышении точности определения толщины однородного нанослоя в ИК-излучении. 2 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК B82Y 35/00 | Способы или устройства для измерения или анализа нано-структур |
МПК G01B 11/06 | Приспособления к измерительным устройствам, отличающиеся оптическими средствами измерения - для измерения толщины |
МПК G01B 9/02 | Устройства, отличающиеся оптическими средствами измерения - интерферометры |