Патент №2470336 - Способ изготовления фотошаблона для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами

Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к способам изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов для технологии изготовления акустоэлектронных устройств на поверхностных и объемных акустических волнах. Технический результат - к N раз уменьшение неровности края переносимого на фотошаблон для контактной фотолитографии изображения, по сравнению с неровностью края изображения на изготовленном рабочем фотошаблоне для проекционной фотолитографии, и сократить финансовые затраты на изготовление фотошаблона для контактной фотолитографии из-за формирования первичного изображения на рабочем фотошаблоне для проекционной фотолитографии в укрупненном в N раз масштабе и возможности многократного воспроизведения топологии рабочего фотошаблона на круглых пластинах, используемых в качестве фотошаблонных заготовок для контактной фотолитографии. Достигается тем, что в способе изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами изготавливают фотошаблон для проекционной фотолитографии с увеличенными в N раз размерами по сравнению с размерами на изготавливаемом шаблоне для контактной фотолитографии и с использованием этого фотошаблона для проекционной фотолитографии и установок для проекционной фотолитографии, уменьшающих переносимый рисунок в N раз, переносят изображение на круглые пластины, изготовленные из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, имеющие линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с использованием данных установок для проекционной фотолитографии, и на этих специальных круглых пластинах изготавливают фотошаблоны для контактной фотолитографии. 2 з.п. ф-лы, 1 пр.