Патент №2471705 - Способ осаждения мономолекулярных пленок фторфуллерена c60f18 на подложку, устройство ввода подложки в вакуум и устройство для испарения фторфуллерена c60f18

Изобретение может быть использовано в нелинейной оптике и пироэлектрических устройствах. Перед осаждением пленки подготавливают подложку, отделяя от высокоориентированного пирографита тонкий слой с помощью двусторонней липкой ленты. Порошок C 60F18 загружают в испарительную ячейку, помещают в вакуумную камеру, на расстоянии от 10 до 40 мм от нее устанавливают контейнер с подготовленной подложкой. Испарение порошка C 60F18 производят посредством нагрева испарительной ячейки до 120-170°С, поддерживая температуру подложки 18-25°С. Устройство ввода подложек в вакуум включает вакуумную камеру, шлюзовое устройство с прямопролетным клапаном и фланцем-окном для смены и загрузки подложек, шток, выполненный с возможностью возвратно-поступательного перемещения и вращения, держатель с подложкой. Устройство для испарения фторфуллерена включает средства механической и тепловой защиты, контроля и регулирования температуры нагрева, монтажа и позиционирования составляющих элементов, трубчатый нагреватель и средство для размещения испаряемого вещества. Трубчатый нагреватель выполнен в виде кварцевой трубки 8 с намотанным снаружи проволочным нагревателем 7. Средства монтажа и позиционирования выполнены в виде шпильки 4 для консольного крепления ячейки, винта с гайкой 9 и хомута 10, размещенных на керамической стойке 11, установленной в круглом основании 1 испарительной ячейки. Средства позиционирования включают алундовую двухканальную трубку 6 для термопары 5. Изобретение позволяет упростить получение пленок, а также обслуживание и ремонт оборудования, снизить энергоемкость и повысить надежность. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 ил.

Классификация патента

Код Наименование
МПК B82B 3/00Изготовление или обработка наноструктур
МПК B82Y 40/00Изготовление или обработка нано-структур
МПК C01B 31/02Углерод; его соединения - получение углеродас использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06; при выращивании кристаллов C 30B
МПК C23C 14/06Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие - характеризуемые покрывающим материалом 14/04 имеет преимущество
МПК C23C 14/26Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие - с использованием источника резистивного или индуктивного нагрева