Патент №2473147 - Установка вакуумного напыления

Изобретение относится к технике получения пленок молекулярно-лучевым осаждением и использованием резистивных источников напыляемого материала. Техническим результатом изобретения является повышение стабилизации скорости испарения, воспроизводимости слоев напыляемого материала по толщине и повышение качества изготовляемых структур. Сущность изобретения: установка вакуумного напыления содержит подключенный к блоку питания резистивный источник испаряемого материала, обращенный первой стороной к подложке, на которой формируют полупроводниковую структуру, а второй - к приемнику заряженных частиц, подключенному к отрицательной клемме источника ускоряющего напряжения, к положительной клемме которого подключено сопротивление. Приемник заряженных частиц может быть выполнен в виде пластины из тугоплавкого металла. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Патент №2473147, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/203Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием