Патент №2473148 - Способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Изобретение относится к микроэлектронике. Техническим результатом изобретения является повышение качества полупроводниковых структур и расширение функциональных возможностей способа и установки за счет реализации возможности и получения многослойных структур с широким диапазоном концентраций легирующих примесей при относительно низких температурах роста. Способ и устройство основаны на резистивном испарении напыляемых материалов и реализуют формирование легированного слоя полупроводниковой структуры путем одновременного испарения основного нелегированного материала и основного материала, легированного примесью. Для повышения качества структуры при формировании легированного слоя полупроводниковой структуры поддерживают постоянной плотность потока основного материала путем подбора электрического тока, пропускаемого через источник основного нелегированного материала, и электрического тока, пропускаемого через источник основного материала, легированного примесью. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии содержит расположенные в камере роста, по меньшей мере, два резистивных источника напыляемого материала, подключенных к соответствующим блокам питания, которые выполнены управляемыми и соединены с программным устройством, при этом один источник выполнен из основного нелегированного материала, а другой - из основного материала, легированного примесью. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Патент №2473148, изображение 1
Патент №2473148, изображение 2
Патент №2473148, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/205Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением