Патент №2479885 - Способ изготовления обработанной поверхности и вакуумные источники плазмы

Изобретение относится к области плазменной обработки. При обработке поверхностей подложек или обрабатываемых деталей с помощью вакуумного плазменного разряда между анодом (9) и катодом (7) образуется и осаждается на анодной поверхности (21) твердое вещество (19), которое имеет более высокий удельный импеданс по постоянному току, чем удельный импеданс по постоянному току материала анода. По меньшей мере, части анодной поверхности экранируют от такого осаждения установлением на них экранирующей плазмы (25). Раскрыты также варианты вакуумных источников плазмы, реализующие заявленный способ. Технический результат - расширение функциональных возможностей источника плазмы. 3 н. и 33 з.п. ф-лы, 16 ил.