Патент №2491986 - Устройство высокого давления и высоких температур

Изобретение относится к устройствам высокого давления и высоких температур, предназначенным для синтеза крупных монокристаллов алмаза. Устройство содержит пуансоны 1, представляющие собой правильную пирамиду с усеченной вершиной, которые при сближении в направлении осей, сходящихся в одну точку, образуют камеру 2 в виде правильного многогранника для размещения контейнера 3 с реакционной ячейкой, и сжимаемые прокладки 4, размещенные между пуансонами 1. Контейнер выполнен из прессованного диоксида циркония, модифицированного 5-15% оксидом иттрия, при этом пористость контейнера составляет 15-25%. За счет того, что диоксид циркония является тугоплавким оксидом, обладает низкой теплопроводностью и высокими прочностными характеристиками во всем диапазоне температур, контейнер из него может быть изготовлен со стенками меньшей толщины, что позволяет увеличить реакционный объем для размещения реакционной шихты без увеличения габаритных размеров устройства и его усложнения, и стабильно удерживать давления и температуру в течение времени, необходимого для выращивания крупных монокристаллов алмаза. 2 ил.

Патент №2491986, изображение 1
Патент №2491986, изображение 2

Классификация патента

Код Наименование
МПК B01J 3/06Способы, используемые при работе с пониженным или повышенным давлением и вызывающие химическую или физическую модификацию веществ; устройства для этой цели - способы, использующие сверхвысокое давление, например для образования алмазов; устройства для этой цели, например матрицы 3/04 имеет преимущество; прессы вообще B 30B