Патент №2492548 - Силовой полупроводниковый модуль с боковыми стенками слоистой конструкции

Изобретение относится к силовому полупроводниковому модулю. Технический результат - предложение силового полупроводникового модуля, обладающего высокой взрывоустойчивостью и изготавливаемого с особенно оптимальными затратами. Достигается тем, что в силовом полупроводниковом модуле (1), включающем в себя по меньшей мере два электрически соединенных друг с другом силовых полупроводниковых блока (19, 20), содержащих управляемые силовые полупроводники, корпус (2, 3, 13) модуля, в котором расположены силовые полупроводниковые блоки (19, 20), и у которого имеются электрически изолирующие боковые стенки (13), и по меньшей мере одну присоединительную шину (9, 10, 11, 12, 21), которая распространяется сквозь боковые стенки (13) и соединена по меньшей мере с одним из силовых полупроводниковых блоков (19, 20), предлагается построить изолирующие боковые стенки (13) в виде штабеля изолирующих и цельно выполненных частичных элементов (14, 15, 16), при этом частичные элементы (14, 15, 16) прилегают друг к другу контактными областями. 9 з.п. ф-лы, 2 ил.

Патент №2492548, изображение 1
Патент №2492548, изображение 2

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 23/02Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле - корпусы, уплотнения 23/12, 23/34, 23/48, 23/552 имеют преимущество
МПК H01L 25/00Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле
МПК H05K 5/00Корпусы, кожухи и выдвижные блоки электрических аппаратов
МПК H05K 7/00Конструктивные элементы общего назначения для различных электрических приборов и устройств