Патент №2492599 - Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика

Изобретение относится к технологии локализованного нанесения металлических слоев либо структур на поверхности диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является обеспечение образование медных осадков с высокой электропроводностью за счет формирования плотного однородного осадка вследствие использования механизма гетерогенной кристаллизации при образовании осадка. Указанный результат достигается за счет того, что лазерное осаждение меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика осуществляют на основе электролита состава 0,01 М CuCl2, 0,05 М NaOH, 0,03 М KNaC4H4O6·4H 2O, в который дополнительно перед фокусированием лазера на границу подложка-электролит вводят раствор, содержащий в качестве восстановителя ксилит в количестве 0.075М, обеспечивающем его концентрацию с окислителем порядка 7,5-кратного избытка, и парабензохинон в количестве 3·10-4 - 6·10-4 М, и последующем сканировании излучения по поверхности диэлектрика со скоростью перемещения относительно точки фокуса в диапазоне 0,0025-0,01 мм/сек и мощностью лазерного излучения в диапазоне от 100 до 1000 мВт. 5 ил.