Патент №2498455 - Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Достигается тем, что мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электро- и теплопроводящее основание с выступом, диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, разделенную, по меньшей мере, на две части, каждая из которых установлена на теплопроводящем основании с противоположных сторон выступа вплотную к нему, на выступе установлен и закреплен, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора, высота выступа выполнена такой, что лицевые поверхности кристаллов и диэлектрической подложки расположены в одной плоскости, выступ электро- и теплопроводящего основания выполнен в виде металлизированной алмазной вставки, расположенной и закрепленной в углублении основания, при этом глубина углубления h выбрана такой, что обеспечивается минимальная разность температур t (°C) кристалла активного полупроводникового прибора и обратной стороны электро- и теплопроводящего основания: где - удельная теплопроводность алмаза (коэффициент теплопроводности Вт/(м×град)), Q - мощность кристалла активного полупроводникового прибора (Вт), полиномиальные коэффициенты - A1=-17,44331; А2=31,36052; А3=-22,21548; А4 =19,01102; А5=-995,19516; А6=-4,10308×10 3; А7=-1,56933×103; A8 =4,81737×106; А9=-1,6359×10 9, что соответствует глубине углубления h от 0,001 до 0,8 мм, а толщина дна углубления выбрана равной или более 0,2 мм, 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл.