Патент №2499339 - Мультибарьерная гетероструктура для генерации мощного электромагнитного излучения суб- и терагерцового диапазонов

Изобретение относится к приборным структурам для генерации мощного электромагнитного излучения суб- и терагерцового диапазонов, которые применяются в компактных и мощных импульсных генераторах, детекторах и смесителях субтерагерцового и терагерцового диапазона частот. Изобретение обеспечивает увеличение мощности и расширение частотного диапазона компактных генераторов терагерцового излучения. В мультибарьерной гетероструктуре для генерации мощного электромагнитного излучения субтерагерцового и терагерцового частотного диапазонов, представляющей собой многослойную гетероструктуру из чередующихся слоев узкозонного и широкозонного полупроводников, где слой широкозонного полупроводника является энергетическим барьером EC для электронов из узкозонного слоя, согласно изобретению, толщины d гетерослоев выбираются из условия где D - коэффициент диффузии электронов, а - время релаксации избыточной тепловой энергии электронов в решетку; широкозонные (барьерные) слои не легированы, а концентрация доноров Nd в узкозонных слоях удовлетворяет условию 1017 см-3 Nd 1018 см-3; высота энергетического барьера EC>6kT; количество чередующихся пар узкозонных и широкозонных слоев n>4, причем материал широкозонного барьерного слоя в первой паре отличается от всех остальных, последующих, и выбирается обеспечивающим пониженную по сравнению с последующими высоту первого энергетического барьера. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Патент №2499339, изображение 1
Патент №2499339, изображение 2
Патент №2499339, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01S 5/343Полупроводниковые лазеры - в соединениях AIIIBV, например AlGaAs-лазер