Патенты автора — Красников Г.Я.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 34, получены - 1991-2011
- B29 – Обработка пластиков; обработка веществ в пластическом состоянии вообще
- C01 – Неорганическая химия
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- G01 – Измерение
- G03 – Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
- G09 – Средства обучения; тайнопись; дисплеи; рекламное и выставочное дело; печати и опечатывание
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Тестовый объект для калибровки микроскопов в микрометровом и нанометровом диапазонах
Изобретение относится к области калибровки оптических цифровых и конфокальных микроскопов, растровых электронных микроскопов и сканирующих зондовых микроскопов при измерении микронных и нанометровых длин отрезков. Тестовый объект для калибровки...
- Способ изготовления штампа для наноимпринт литографии
Изобретение относится к микроэлектронике, к способам изготовления штампов для наноимпринт литографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами для использования при изготовлении полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: для уменьшения...
- Способ изготовления усовершенствованной многоуровневой медной металлизации с применением диэлектриков с очень низкой диэлектрической постоянной (ultra low-k)
Изобретение относится к микроэлектронике. Проблемы медной металлизации при уменьшении нормы проектирования: высокая дефектность структуры медных проводников и электромиграция по границе меди с окружающими диэлектриками; быстрое повышение удельного...
- Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении приборов вакуумной микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является использование в качестве материала эмиттера наноалмазных покрытий, представляющих...
- Состав газовой смеси для формирования нитрид танталового металлического затвора методом плазмохимического травления
Изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии. Сущность изобретения: состав газовой смеси для формирования нитрид танталового затвора в плазме характеризуется тем, что плазма...
- Способ химико-динамической полировки
Изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений. Способ включает помещение полируемой пластины в травящий химический раствор, причем...
- Способ изготовления медной многоуровневой металлизации сбис
Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем. Сущность изобретения: в способе изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС, включающем операции нанесения металлических и диэлектрических слоев,...
- Способ получения гранул кремния высокой чистоты
Способ включает загрузку в тигель исходного кремния, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до...
- Способ изготовления структуры кремния на изоляторе
Изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе. Техническим результатом изобретения является уменьшение количества дефектов и повышение качества пленок кремния на изоляторе за счет сохранения качества...
- Способ получения кремния высокой чистоты
Изобретение может быть использовано для производства высокочистого кремния. Способ получения кремния высокой чистоты заключается в восстановлении диоксида кремния до монооксида кремния под действием электродуговой плазмы в атмосфере водорода с...