Патенты автора — Погорельский Ю.В.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 12, получены - 1997-2009
- C30 – Выращивание кристаллов
- F27 – Нагревательные, обжиговые, плавильные и ретортные печи
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Электрический контакт нагревателя полупроводниковой подложки ростового манипулятора вакуумной камеры для выращивания полупроводниковых гетероструктур
Изобретение относится к технике, используемой для нагревания полупроводниковой подложки при выращивании тонких эпитаксильных пленок методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сущность изобретения: в электрическом контакте нагревателя полупроводниковой...
- Тигель для испарения алюминия в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии
Изобретение относится к тиглям для испарения алюминия в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Тигель включает корпус из нитрида бора в виде колбы с фланцем в верхней части и покрытие, содержащее пиролитический графит. Фланец выполнен в виде...
- Способ изготовления чипов мощных нитридных свч-транзисторов
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы. Сущность изобретения: в способе изготовления...
- Способ изготовления омических контактов полупроводниковой гетероструктуры gan/algan
Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к полупроводниковым структурам GaN/AlGaN и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектроники, в частности полевых транзисторов СВЧ-диапазона. Сущность изобретения: в...
- Способ изготовления омических контактов полупроводниковой гетероструктуры gan/algan
Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к полупроводниковым структурам GaN/AlGaN и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектроники, в частности полевых транзисторов СВЧ-диапазона. Сущность изобретения: в...
- Способ выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры
Изобретение относится к технологии выращивания нитридных полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении различных оптических и электронных приборов и устройств. В способе...
- Полупроводниковая гетероструктура полевого транзистора
Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, главным образом полевых транзисторов. Полупроводниковая гетероструктура полевого транзистора, включающая монокристаллическую подложку из AlN, темплетный слой AlN, канальный слой GaN и...
- Полевой транзистор
Использование: в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д. Структура полевого транзистора на основе нитридов Ga и Аl последовательно включает подложку, изолирующий слой, выполненный из AlyGa1-yN, канальный слой и барьерный слой, выполненный из...
- Способ изготовления полупроводникового лазерного диода
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых лазерных диодов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового лазерного диода, включающем изготовление полупроводниковой лазерной гетероструктуры на основе соединений...
- Установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках
Использование: оборудование для производства элементов полупроводниковой техники. Сущность изобретения: установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках включает вакуумную камеру, в которой размещены...