Патенты автора — Серопян Г.М.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 14, получены - 1994-2012
- C01 – Неорганическая химия
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- E21 – Бурение грунта или горных пород; горное дело
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Керамический материал
Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании элементов наноэлектроники, активных элементов криоэлектронных схем, работающих в условиях космического вакуума и холода и использующих новые проводящие керамические...
- Способ передачи и приема информации с забоя скважины на поверхность по электромагнитному каналу связи по породе с использованием сквид-магнитометра
Изобретение относится к области промыслово-геофизического исследования скважин и может быть использовано как телеметрическая система с электромагнитным каналом связи по породе для передачи технологической информации о забойных параметрах бурения,...
- Способ формирования гладких ультратонких ybco пленок повышенной проводимости
Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления нанопленок сложного металлооксидного соединения состава YВа2Сu3O7-х (YBCO) повышенной проводимости и может быть использовано при создании элементов наноэлектроники. Сущность...
- Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными значениями плотности критического тока
Изобретение относится к способам формирования сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными требуемыми для изготовления ВТСП приборов значениями плотности критического тока. Сущность изобретения: в способе формирования сверхпроводящей...
- Керамический материал
Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании активных элементов криоэлектронных схем. Сущность изобретения заключается в том, что создан простой в технологическом исполнении керамический материал состава Ag...
- Способ формирования периодических микроструктур на втсп пленках с джозефсоновскими свойствами
Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании...
- Способ определения областей с нарушенной кристаллической структурой в материалах с металлической проводимостью
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к способам определения областей с нарушенной кристаллической структурой в материалах с металлической проводимостью. Сущность изобретения заключается в том, что для определения областей...
- Способ создания слабых связей в системах на пленочных втсп- сквидах
Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах. Предложен способ, заключающийся в том, что в тонких сверхпроводящих пленках в области слабых связей создают...
- Сквид-магнитометр на высокотемпературных пленках
Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов. Предложен СКВИД-магнитометр на высокотемпературных пленках, содержащий приемный контур, контур связи для...
- Способ формирования многослойных структур из материала yвaсuо с двух сторон подложки
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS. Предложен способ формирования многослойных структур из материала YBaCuO с двух сторон подложки методом лазерной абляции. Способ характеризуется...