Патенты автора — Тихонов Р.Д.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 29, получены - 1992-2012
- B28 – Обработка цемента, глины и камня
- C01 – Неорганическая химия
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Микроэлектромеханический датчик микроперемещений с магнитным полем
Изобретение относится к области приборостроения. Оно может быть использовано в датчиках перемещений в системах навигации, автоматического управления и стабилизации подвижных объектов. Технический результат заключается в уменьшении массогабаритных...
- Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к...
- Планарный биполярный магнитотранзистор
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: планарный биполярный магнитотранзистор содержит кремниевую монокристаллическую...
- Интегральный градиентный магнитотранзисторный датчик
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: интегральный градиентный магнитотранзисторный датчик содержит два чувствительных элемента, два усилителя, выполненные в виде двух токовых зеркал на МОП транзисторах и схему...
- Планарный магнитотранзисторный преобразователь
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Планарный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую...
- Интегральный магнитотранзисторный датчик с цифровым выходом
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является создание интегральной схемы магнитотранзисторного датчика для...
- P-i-n-диодный преобразователь нейтронного излучения
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения....
- Интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного...
- Многобалочный акселерометр - анализатор спектра механических колебаний на основе тензорезистивных преобразователей
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования механических воздействий в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить ускорение или силу воздействий. Акселерометр содержит несколько подвижных инерционных масс,...
- Матрица интегральных преобразователей давления
Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования механических воздействий в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить тактильное давление, создаваемое при соприкосновении датчика с каким-либо...