Патенты автора — Тысченко И.Е.
Страна - Россия (RU), количество патентов - 6, получены - 2003-2012
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- Способ изготовления структуры полупроводник-на-изоляторе
Изобретение относится к полупроводниковой технологии. В аморфный изолирующий слой SiO2 подложки Si осуществляют имплантацию ионов легко сегрегирующей примеси, способной формировать нанокристаллы в объеме слоя SiO2-Si+ или Ge+. Получают область...
- Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. В способе изготовления структуры кремний-на-изоляторе в аморфный изолирующий слой SiO2 подложки кремния осуществляют имплантацию ионов...
- Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления структуры кремний-на-изоляторе в составе подложки Si формируют аморфный слой диэлектрика...
- Способ изготовления структуры кремний на изоляторе
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления структуры кремний на изоляторе на поверхности подложки формируют изолирующий слой и...
- Способ изготовления гетероструктуры
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение качества гетероструктур, расширение технологической сферы применения способа. Сущность изобретения: в способе изготовления гетероструктуры, заключающемся в том, что в...
- Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе
Использование: в полупроводниковой технологии, в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе для производства современных СБИС и других изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ...