Патенты Институт физики полупроводников СО Российской академии наук
Страна - Россия (RU), количество патентов - 45, получены - 2004-2008 , коллектив авторов - 72 человека.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B81 – Микроструктурные технологии
- C25 – Электролитические способы; электрофорез; устройства для них
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G11 – Накопление информации
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Фотодиодный приемник инфракрасного излучения
Фотодиодный приемник инфракрасного излучения содержит прозрачную для излучения спектральной области фотоприема полупроводниковую подложку, полупроводниковую варизонную структуру, размещенную на подложке. В составе варизонной структуры со стороны...
- Штатив для подложки
Изобретение относится к оборудованию для микроэлектронной области техники. Изобретение направлено на повышение процента соединенных контактов до 99,75 за счет значительного повышения точности установки плоскопараллельности двух плоских подложек,...
- Каскадный солнечный элемент
Каскадный солнечный элемент содержит подложку, мульти-p-n-переходную структуру солнечного элемента, расположенную на верхней стороне подложки, нижний и верхний контактные электроды, расположенные соответственно на нижней стороне подложки и на верхней...
- Предметный столик
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при разработке технологического и тестового оборудования. Изобретение направлено на обеспечение возможности фиксировать на одном и том же предметном столике образцы...
- Способ выделения изотопов таллия
Изобретение относится к квантовой электронике и лазерной технологи и может быть использовано в ядерной физике для разделения изотопов. Изобретение касается способа выделения изотопов таллия, заключающегося в том, что создают пучок атомов таллия и...
- Фазосдвигающее устройство
Изобретение относится к оптике. В фазосдвигающем устройстве, содержащем оптически связанные две фазосдвигающие пластины, установленные с зазором на вычитание вносимых ими сдвигов фаз, указанные фазосдвигающие пластины установлены так, что их оптические...
- Способ изготовления гетероструктуры
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение качества гетероструктур, расширение технологической сферы применения способа. Сущность изобретения: в способе изготовления гетероструктуры, заключающемся в том, что в...
- Способ получения безыскрового разряда в плотных газах и устройство для его осуществления (варианты)
Изобретение относится к квантовой электронике, спектроскопии, плазмохимии. Способ получения безыскрового разряда в плотных газах заключается в зажигании основного разряда между первым и вторым электродами путем подачи высоковольтного импульса минусом...
- Фазосдвигающее устройство
Изобретение относится к поляризационной оптической технике и может быть использовано при изготовлении оптических устройств. Устройство содержит две фазосдвигающие пластины, снабжено корпусом, оправой и тремя сферическими пружинами. Первая...
- Элемент памяти для флэш электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам. Техническим результатом является повышение надежности элемента памяти в режиме считывания. Элемент памяти для флэш...