Патенты Московский государственный институт электронной техники (технический университет),Научно-производственный комплекс "Технологический Центр" МИЭТ
Страна - Россия (RU), количество патентов - 6, получены - 2000-2004 , коллектив авторов - 12 человек.
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
№ | Автор | Патенты |
---|---|---|
1 | Тихонов Р.Д. | 5 |
2 | Королев М.А. | 2 |
3 | Козлов А.В. | 2 |
4 | Панков В.В. | 1 |
5 | Ревелева М.А. | 1 |
6 | Шелепин Н.А. | 1 |
7 | Ковалев А.В. | 1 |
8 | Красюков А.Ю. | 1 |
9 | Тимошенков С.П. | 1 |
10 | Балашов А.Г. | 1 |
- Полупроводниковый магнитный преобразователь
Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является уменьшение влияния токов...
- Фотодетектор
Использование: в полупроводниковой электронике. Техническим результатом изобретения является уменьшение емкости, повышение быстродействия и повышение фоточувствительности. Сущность изобретения: в кремниевом латеральном фотодетекторе с лавинным...
- Полупроводниковый прибор, чувствительный к магнитному полю
Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Технический результат: уменьшение зависимости чувствительности...
- Способ изготовления планарного силового моп транзистора
Использование: в полупроводниковой силовой электронике. Техническим результатом изобретения является уменьшение сопротивления открытого транзистора, уменьшение входной емкости, увеличение пробивного напряжения стока планарного силового МОП транзистора,...
- Планарный силовой моп транзистор с блокирующим емкость стока барьером шоттки
Использование: в полупроводниковой силовой электронике, при конструировании полупроводниковых приборов - униполярных транзисторов с полевым эффектом, создаваемым изолированным затвором. Сущность изобретения: в планарном силовом МОП-транзисторе в...
- Микроэлектронный датчик давления
Изобретение предназначено для обеспечения высокоточного измерения давлений в широком диапазоне температур и давлений. Предлагаемое изобретение заключается в том, что основание датчика выполняется из двух или более частей и имеет специфическую...