Патенты Научно- производственное предприятие "Пульсар"
Страна - Россия (RU), количество патентов - 44, получены - 1997-2013 , коллектив авторов - 76 человек.
- B24 – Шлифование; полирование
- B44 – Декоративное искусство
- C22 – Металлургия; сплавы черных или цветных металлов; обработка сплавов или цветных металлов
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- Свч-транзистор
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. СВЧ-транзистор содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза,...
- Биполярный транзистор свч
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор СВЧ на основе гетероэпитаксиальных структур включает последовательно размещенные на подложке из монокристаллического кремния р-типа проводимости буферный слой из...
- Мощный транзистор свч с многослойной эпитаксиальной структурой
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ с многослойной эпитаксиальной структурой содержит базовую подложку из кремния,...
- Мощный транзистор свч
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза,...
- Биполярный транзистор
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Биполярный транзистор, изготовленный на основе гетероэпитаксиальных структур, включает сапфировую подложку, на которой последовательно размещены буферный слой из нелегированного GaN,...
- Способ усиления мощности на gan свч-транзисторах и импульсный свч-усилитель мощности
Группа изобретений относится к технике СВЧ и может быть использована в радиолокационной и радионавигационной технике, а также в средствах передачи информации. Техническим результатом является понижение уровня фазового шума выходного СВЧ-сигнала....
- Активный фазовращатель (варианты)
Изобретение относится к электронной технике, а именно к фазовращателям СВЧ на полупроводниковых приборах. Технический результат - повышение надежности устройства. Активный фазовращатель, выполненный на полупроводниковых приборах на основе SiGe и...
- Биполярный транзистор на основе гетероэпитаксиальных структур и способ его изготовления
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор, выполненный на основе гетероэпитаксиальных структур SiGe, включает подложку из высокоомного кремния с кристаллографической ориентацией (111), буферный слой из...
- Полупроводниковый прибор и способ его изготовления
Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх...
- Способ диффузии бора в кремний
Изобретение относится к технологии создания полупроводниковых приборов, в частности к области конструирования и производства мощных биполярных кремниевых СВЧ-транзисторов. Техническим результатом изобретения является воспроизводимость процесса диффузии...