Патенты Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
Страна - Россия (RU), количество патентов - 31, получены - 2010-2012 , коллектив авторов - 78 человек.
- A61 – Медицина и ветеринария; гигиена
- C12 – Биохимия; пиво; алкогольные напитки; вино; уксус; микробиология; энзимология; получение мутаций; генная инженерия
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- C30 – Выращивание кристаллов
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
- G01 – Измерение
- G06 – Вычисление; счет
- G08 – Сигнализация
- G09 – Средства обучения; тайнопись; дисплеи; рекламное и выставочное дело; печати и опечатывание
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H04 – Техника электрической связи
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую...
- Способ изготовления гибкой микропечатной платы
Изобретение относится к области приборостроения и радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении гибких микропечатных плат, применяемых при изготовлении вторичных преобразователей микромеханических акселерометров, микрогироскопов,...
- Микромеханический акселерометр
Изобретение может применяться в микромеханических датчиках линейных ускорений. Сущность изобретения заключается в том, что микромеханический акселерометр содержит чувствительный элемент, выполненный из монокристаллического кремния низкой проводимости,...
- Способ получения пористого анодного оксида титана
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в области наноэлектроники. Способ включает формирование слоя пористого анодного оксида анодным окислением титанового образца в потенциостатическом режиме в электролите на...
- Чувствительный элемент микромеханического компенсационного акселерометра
Изобретение относится к измерительной технике и может применяться в микромеханических компенсационных акселерометрах. Чувствительный элемент содержит инерционную массу, упругие элементы, катушку обратной связи, проводящие дорожки для электрической...
- Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к...
- Способ изготовления самосовмещенного высоковольтного интегрального транзистора
Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника, самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор может быть использован в производстве интегральных микросхем. Сущность изобретения: у самосовмещенного, высоковольтного транзистора...
- Самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор содержит коллекторную область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком,...
- Высоковольтный самосовмещенный интегральный диод
Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: интегральный диод содержит область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и...
- Способ межмодульного информационного обмена
Изобретение относится к способам межмодульного информационного обмена в устройствах информационно-управляющих комплексов, использующих магистрально-модульную архитектуру. В известном способе для определения состояния каждого модуля, подключенного к...