Патенты НИИ "Пульсар"
Страна - Россия (RU), количество патентов - 12, получены - 1990-1993 , коллектив авторов - 31 человек.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B23 – Металлорежущие станки; способы и устройства для обработки металлов, не отнесенные к другим классам
- B24 – Шлифование; полирование
- C02 – Обработка воды, промышленных и бытовых сточных вод или отстоя сточных вод
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
| № | Автор | Патенты |
|---|---|---|
| 1 | Евграфова Г.А. | 3 |
| 2 | Добудько В.Д. | 3 |
| 3 | Енишерлова-Вельяшева К.Л. | 3 |
| 4 | Саруханов Р.Г. | 2 |
| 5 | Пучков В.В. | 2 |
| 6 | Савушкин Ю.А. | 2 |
| 7 | Типаева В.А. | 1 |
| 8 | Лебедев С.Л. | 1 |
| 9 | Баранова Т.А. | 1 |
| 10 | Детинко М.В. | 1 |
- Способ получения тонких монокристаллических полупроводниковых слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе формирования тонких монокристаллических слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале сначала проводят термокомпрессионное соединение...
- Способ очистки сорбента в фильтрующей колонне и фильтрующая колонна для его осуществления
Использование: в технологии очистки сорбента в фильтрующей колонне. Сущность изобретения: в способе очистки сорбента в фильтрующей колонне, включающем отмывку сорбента водой, воду подают струями, создаваемыми гидродинамическими активаторами, причем в...
- Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно...
- Прибор с зарядовой связью
Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к приборам с зарядовой связью. Сущность изобретения: в приборе с зарядовой связью, включающем кремниевую подложку, подзатворный слой изолятора, поликремниевые электроды фаз с окисленными...
- Устройство для низкотемпературного прямого соединения полупроводниковых пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: устройство для низкотемпературного прямого соединения полупроводниковых пластин включает основание, центрифугу с каруселью для размещения узлов крепления пластин, крышку для...
- Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу
Сущность изобретения: способ включает размещение золотой фольги между корпусом и кристаллом и пайку. Поверхность фольги предварительно подвергают химическому травлению в растворе соляной кислоты при температуре 18 - 25°С в течение 3 - 5 мин с...
- Способ присоединения выводов к контактным площадкам и устройство для его осуществления
Изобретение относится к микросварке, и может найти применение в радиоэлектронном машиностроении. Сущность изобретения: в способе при зажиме вывод формируют по конфигурации перемычек за счет того, что верхняя рабочая поверхность губок выполнена...
- Способ осуществления ионного обмена
Перед осуществлением процесса ионного обмена ионит обрабатывают водой, подвергнутой воздействию энергетического поля. В качестве энергетического поля используют ультразвуковое поле, или электрическое, или температурное, или гамма-излучение. Процесс...
- Полировальник
Использование: в области алмазного и химико-механического полирования полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: в полировальнике, состоящем из доводочного диска с приводом вращения и закрепленного на его базовой поверхности полировального...
- Способ очистки синтетического органического ионообменного материала
Синтетический органический ионообменный материал очищают обработкой ультразвуком в воде при температуре 35 - 50С. 1 табл.