Патенты НИИ механики и физики при Саратовском государственном университете
Страна - Россия (RU), количество патентов - 6, получены - 1990-1992 , коллектив авторов - 18 человек.
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- G01 – Измерение
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
| № | Автор | Патенты |
|---|---|---|
| 1 | Пылаев С.Е. | 1 |
| 2 | Двинских В.А. | 1 |
| 3 | Кудряшов С.А. | 1 |
| 4 | Наянов В.И. | 1 |
| 5 | Климов Б.Н. | 1 |
| 6 | Халдеев С.Г. | 1 |
| 7 | Лясковский И.И. | 1 |
| 8 | Иванченко В.А. | 1 |
| 9 | Сосунов В.А. | 1 |
| 10 | Никитин А.А. | 1 |
- Способ металлизации полимерной пленки
Использование: область микроэлектроники, нанесение металлического покрытия на полимерную пленку, в частности для производства интегральных схем. Сущность изобретения: способ металлизации полимерной пленки включает химическое травление пленки в...
- Способ получения пленок в плазме
Использование: в акустике и акустикоэлектронике, в частности в области нанесения диэлектрических и пьезоэлектрических пленок на поверхность подложки методом плазменно-реактивного распыления металлической мишени в вакууме. Сущность изобретения: способ...
- Устройство для определения толщины и оптических свойств слоев в процессе их формирования
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля формирования структур с полупроводниковыми, диэлектрическими и металлическими слоями в микроэлектронном производстве. Целью изобретения является повышение точности...
- Сверхвысокочастотный диод
Сущность изобретения: полупроводниковый кристалл размещен в месте сопряжения первого и второго коаксиальных резисторов. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
- Волноводный газовый лазер
Использование: в квантовой электронике для создания волноводных молекулярных CO2 -лазеров. Сущность изобретения: в волноводном газовом лазере, содержащем волноводную систему с расположенной в ней газонаполненной трубкой и источник возбуждения,...
- Генератор свч
Использование: в радиотехнике, а именно в радиопередающих и радиоприемных устройствах в качестве СВЧ-генератора. Сущность изобретения: в генераторе, содержащем отрезок 1 прямоугольного волновода, к широкой стенке которого перпендикулярно подключены...