Патенты НИИ ядерной физики при Томском политехническом университете
Страна - Россия (RU), количество патентов - 43, получены - 1991-2003 , коллектив авторов - 72 человека.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- C01 – Неорганическая химия
- C23 – Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
- F26 – Сушка
- G01 – Измерение
- G21 – Ядерная физика, ядерная техника
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Способ изготовления гибкой зеркально отражающей структуры и структура, полученная этим способом
Изобретения относятся к технологии изготовления отражающих покрытий, которые могут подвергаться изгибу без ухудшения отражающих свойств. Структура, полученная этим способом, может быть использована для изготовления рефлекторов различной формы, и в...
- Способ импульсно-периодической имплантации ионов и плазменного осаждения покрытий
Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для изменения механических, химических, электрофизических свойств приповерхностных слоев металлов, сплавов, полупроводников, диэлектриков и других материалов путем нанесения...
- Линейный индукционный ускоритель
Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для генерации электронных и ионных пучков наносекундной длительности с высокой частотой следования импульсов. Линейный индукционный ускоритель содержит ферромагнитную...
- Супер-релтрон
Изобретение относится к области релятивистской высокочастотной электроники и может быть использовано для генерации мощного СВЧ-излучения в импульсно-периодическом режиме. Релятивистский клистрон содержит взрывоэмиссионный катод, сеточный анод,...
- Релятивистский магнетрон
Изобретение относится к области релятивистской высокочастотной электроники и может быть использовано для генерации мощного СВЧ излучения. Релятивистский магнетрон, содержащий многорезонаторный анодный блок, перпендикулярно оси которого расположены...
- Магнетронная распылительная система
Изобретение относится к плазменной технике и предназначено для нанесения пленок из металлов и их соединений в различных отраслях машиностроения. Магнетронная распылительная система содержит мишень, магнитный блок и полый анод, соединенный с системой...
- Релятивистский магнетрон
Изобретение относится к области релятивистской высокочастотной электроники и может быть использовано для генерации мощного СВЧ излучения. Релятивистский магнетрон содержит цилиндрическую трубу дрейфа и многорезонаторный анодный блок с волноводными...
- Линейный индукционный ускоритель
Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для генерации сильноточных электронных и ионных пучков наносекундной длительности с высокой частотой следования импульсов. Линейный индукционный ускоритель содержит...
- Релятивистский магнетрон
Изобретение относится к генерации мощных импульсов СВЧ излучения. Техническим результатом является повышение КПД прибора за счет уменьшения потерь торцевого тока. Отличием данной конструкции является последовательное расположение на одной оси N...
- Линейный индукционный ускоритель
Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для генерации электронных и ионных пучков наносекундной длительности с высокой частотой следования импульсов. Линейный индукционный ускоритель содержит ферромагнитную...