Патент №2006082 - Способ формирования резистивного слоя на керамической подложке

Использование: электротехника, электроника, в частности изготовление резистивных слоев на керамических подложках (П), имеющих высокое объемное сопротивление. Сущность изобретения: формирование резистивного слоя осуществляют имплантацией в поверхность керамической П ионов дозой 1015-1017cм-2 при энергии 50 - 150 кэВ и плотности тока 10-3-10-2A/cм2. При этом для нитридокерамической П используют ионы лития или бора, или углерода, или азота, или алюминия, а для оксидокерамической - ионы углерода. Затем проводят отжиг в атмосфере азота при температуре 1200 - 1500 К для нитридокерамической П и в вакууме при 1100 - 1400 К для оксидокерамической П. В результате формируется термостабильный, устойчивый в эксплуатации резистивный слой с малой величиной удельного поверхностного сопротивления. 2 ил. , 2 табл.