Патент №2008258 - Способ эпитаксиального выращивания алмаза
Использование: для увеличения размеров кристаллов алмаза. Сущность изобретения: на затравочные кристаллы алмаза наносят слой металла - катализатора. В ампулу помещают эти кристаллы и исходный углерод - сажу, ампулу вакуумируют и осуществляют эпиксиальное выращивание. Выращенные кристаллы имеют высокие оптические характеристики. 1 табл.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК C01B 31/00 | Углерод; его соединения |
| МПК C30B 23/00 | Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала |
| МПК C30B 29/00 | Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой |