Патент №2008746 - Способ изготовления кристалла с диффузионным p - n-переходом
Сущность изобретения: с кристалла в виде шестигранника снимают фаску в виде усеченного конуса. Величину бокового скоса контролируют по диаметру верхней площадки. 1 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 21/00 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей |