Патент №2009517 - Способ отбраковки полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе структур металл - диэлектрик - полупроводник

Применение: относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности и качества полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: способ включает облучение испытуемых приборов пучком импульсного лазерного излучения, измерение электрических параметров испытуемых приборов, сравнение измеренных параметров с эталонными. Облучение проводят длиной волны в интервале 1,24/Eд<<1,24E, плотностью энергии 1 не более величины Zm=Iп/Iм(1-R)Tmax и длительностью импульса не более величины m=1/2K, где Eд и Eп - ширина запрещенной зоны диэлектрика и полупроводника соответственно, (эВ); Iп - пороговая плотность энергии ( (Дж/м2) ); R - коэффициент отражения слоя металла; - коэффициент поглощения излучения в слоях металла и диэлектрика; Tм и Tmax - соответственно температуры плавления полупроводника и начала необратимых изменений МДП-структуры под действием лазерного облучения; K, - коэффициенты температуропроводимости и поглощения соответственно.