Патент №2009573 - Способ контроля пригодности монокристаллических кремниевых пластин для изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технологии производства интегральных микросхем и позволяет производить контроль качества исходных кремниевых пластин на начальном этапе. Целью изобретения является осуществление возможности прогнозирования количества годных приборов заданного типа. Предлагаемый способ контроля пригодности монокристаллических кремниевых пластин включает в себя облучение пластин ИК-светом в диапазоне 0,5 - 5,0 мкм, определение коэффициента пропускания и прогнозирование количества годных приборов заданного типа, получаемых на этих пластинах, на основе предварительно установленной корреляционной зависимости между коэффициентом пропускания и количеством годных приборов. 1 табл.