Патент №2009576 - Способ изготовления структур кремний на диэлектрике

Использование: способ изготовления структур кремний на диэлектрике, используемый в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых микросхем. Сущность изобретения: в качестве связующего материала между поверхностью полупроводниковой пластины и несущей диэлектрической подложки используют слой гидролизнополиконденсированной двуокиси кремния, для этого на поверхность полупроводниковой пластины, в которой сформированы элементы схемы, наносят пленкообразующий раствор кремнийорганического соединения, накладывают диэлектрическую несущую подложку и проводят одновременно отжиг и термообработку при 400С.