Патент №2018994 - Элемент памяти

Использование: в области микроэлектроники в производстве полупроводниковых интегральных схем с большой, сверхбольшой и ультрабольшой степенью интеграции, предназначенных для создания на основе этих узлов и блоков изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры повышенной группы сложности с расширенными функциональными возможностями как специального, так и общепромышленного назначения. Сущность изобретения: элемент памяти содержит МДП-транзистор связи и расположенный под ним накопительный конденсатор, причем физические слои накопительного конденсатора и транзистора связи сформированы на поверхности углубления двух многогранников с числом граней более пяти, разделенных областью полупроводникового материала второго типа проводимости, выполняющей функции области стока транзистора связи. 5 ил.