Патент №2030814 - Полупроводниковый термочувствительный элемент

Использование: в области дискретной полупроводниковой микроэлектроники, в устройствах измерения, контроля и первичного преобразования температуры любых сред при их хранении, транспортировке, переработке и учете расхода и поступления. Сущность: элемент содержит две высоколегированные области полупроводникового материала первого и второго типа проводимости. Эти области разделены двумя низколегированными областями полупроводникового материала второго и первого типа проводимости. На высоколегированные области нанесены защитные сои диэлектрика. В защитных слоях выполнены окна для омических контактов к высоколегированным областям. Ширина каждой из низколегированных областей в два-три раза превышает максимальные значения диффузных длин неосновных носителей заряда, инжектированных из смежных высоколегированных областей. 1 ил.