Патент №2047183 - Способ определения параметров тонких магнитных пленок
Использование: при научных исследованиях и технологическом контроле образцов тонких магнитных пленок, например, гранатовых эпитаксиальных структур. Сущность изобретения: способ включает воздействие на образец постоянным магнитным полем смещения, переменным модулирующим полем и фотоэлектрическую регистрацию переменной компоненты намагниченности, при этом переменное магнитное поле создают с помощью двух синхронных противофазных источников с градиентом, перпендикулярном плоскости образца, и устанавливают образец в положение, при котором смена знака фазы результирующего поля модуляции происходит в заданном слое образца. 1 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК G01R 33/00 | Устройства для измерения переменных магнитных величин |