Патент №2059322 - Способ фотохимического осаждения тонких пленок и устройство для его осуществления

Использование: в микроэлектронике для производства БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ включает нагрев подложки в реакторе атмосферного давления, подачу смеси реагирующих газов, облучение зоны осаждения вакуумным ультрафиолетовым излучением эксимерных молекул инертного газа газоразрядной плазмы барьерного типа при напряжении 1 - 20 кВ и частоте 1 - 20 кГц, причем спектр излучения выбирают из области спектра поглощения реагирующих газов. Эксимерный реактор вертикального типа для фотохимического осаждения тонких пленок содержит подложкодержатель с нагревателем, источник вакуумного ультрафиолетового излучения, включающий электрод с диэлектрическим покрытием и осевым каналом для рабочего газа и сетчатый электрод, а также узел дополнительного ввода рабочего газа и узел ввода смеси реагирующих газов, выполненные в виде трубчатого кольца с отверстиями, а между источником излучения и подложкодержателем размещен центральный детектор вспомогательного газа. 2 с. п. ф-лы, 1 ил.