Патент №2061108 - Способ выращивания монокристаллов изумруда

Использование: при выращивании высокочистых монокристаллов изумруда методом температурного перепада на ориентированную затравку из расплава, содержащего исходный материал из оксидов бериллия, алюминия и кремния с активирующими добавками, и флюса - растворителя. Сущность изобретения: по условиям растворимости каждого из составлюющих окислов изумруда подбирают состав нелетучего флюса, обеспечивающего высокую скорость раста однородного слоя на затравку. В качестве флюса-растворителя используют смесь вольфрамата и ванадата висмута или вольфрамата висмута и свинца, взятых в соотношении (2 -4) : 1. Для наращивания однородного по качеству слоя на затравку, ориентированную параллельно призме исходные окислы берут в соотношении, близком к стехиометрическому составу берилла или с избытком до 10 мас.% окиси алюминия. Для затравки, ориентированной параллельно призме берут избыток до 30 - 50 мас.% окиси бериллия по отношению к стехиометрии. Для увеличения скорости роста систему можно дополнительно охлаждать со скоростью 0,05 - 0,06 град/ч. Получают кристаллы высокого ювелирного и оптического качества. 3 з. п. ф-лы, 1 табл.