Патент №2121193 - Способ изготовления микроострий на поверхности
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем. Изобретение позволяет улучшить эмиссионные характеристики микроострий при упрощении технологического процесса. Способ включает окисление и травление, которые осуществляют воздействием на поверхность газовым разрядом в скрещенных электрическом и магнитном полях с величиной магнитной индукции, равной 0,005 - 0,07 Тл, в атмосфере чистого кислорода при давлении 1 - 0,05 Па. Одновременно осуществляют непрерывный контроль процесса во избежание прожигания поверхности. 3 з.п. ф-лы.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01J 1/00 | Элементы конструкции электродов, устройств для магнитного управления, экранов, устройств для их крепления или размещения, общие для двух и более основных типов электронных и газоразрядных приборов |
| МПК H01J 9/00 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления электронных или газоразрядных приборов, разрядных осветительных ламп или их деталей; восстановление материала из электронных или газоразрядных приборов или ламп |
