Патент №2137251 - Способ резки полупроводниковых монокристаллов на пластины

Использование: при изготовлении полированных пластин. Технический результат изобретения - повышение качества резки за счет улучшения условий работы режущей кромки в зоне резания. Сущность: в способе резки полупроводниковых монокристаллов на пластины, включающем наклейку мастикой монокристалла на держатель, относительное перемещение вращающегося алмазного круга и монокристалла на держателе с подачей в зону резания охлаждающей жидкости, в мастику в качестве наполнителя вводят стружку полупроводниковых материалов после резки алмазным кругом с той же зернистостью, с которой режут полупроводниковый монокристалл, а монокристалл обмазывают мастикой на высоту по крайней мере на 2/3 от диаметра монокристалла. Кроме того, стружку используют после резки различных полупроводниковых материалов, т.е. смесь частиц разных полупроводниковых материалов. 1 з.п. ф-лы.