Патент №2141148 - Способ изготовления бикмоп прибора

Использование: микроэлектроника, а именно технология БиКМОП приборов, у которых на одном кристалле формируются комплиментарные биполярные и полевые транзисторы. Сущность изобретения: в способе изготовления БиКМОП прибора за счет того, что оставляют первый слой поликремния и подзатворный окисел в карманах полевых транзисторов с перекрытием слоем поликремния полевого окисла на величину, равную погрешности при литографии, в кармане первого биполярного транзистора в месте расположения окна под эмиттер с перекрытием поликремнием окна на величину, равную погрешности при литографии, и в кармане второго биполярного транзистора, за исключением места расположения эмиттера. При легировании второго слоя поликремния, кроме того, легируют место расположения базового электрода первого биполярного транзистора. До формирования электродов из третьего слоя поликремния легируют третий слой поликремния вначале примесью второго типа проводимости над областями стоков и истоков n-канального полевого и коллекторного электрода второго биполярного транзисторов, проводят первый отжиг при высокой температуре, затем легируют третий слой поликремния примесью первого типа проводимости над областями стоков и истоков р - канального полевого транзистора, эмиттерного и коллекторного электродов первого биполярного и базового электрода второго биполярного транзисторов, проводят второй отжиг при температуре ниже температуры первого отжига, а затем формируют электроды из третьего слоя поликремния к областям стоков и истоков полевых транзисторов, к области эмиттера и коллектора первого биполярного и к области пассивной базы и коллектора второго биполярного транзисторов, осаждают второй силицидный и второй изолирующий слои. Техническим результатом изобретения является повышение степени интеграции, быстродействия и процента выхода годных БиКМОП прибора за счет совершенствования способа формирования электродов к стоку и истоку полевых транзисторов и электрода эмиттера из третьего слоя поликремния, уменьшающих емкости переходов и величину сопротивления базы, и исключения воздействия плазмы на поверхность кремния в активных областях транзисторов. 10 ил.

Патент №2141148, изображение 1
Патент №2141148, изображение 2
Патент №2141148, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей