Патент №2197768 - Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам получения полупроводниковых структур с диэлектрической изоляцией. Способ позволяет улучшить геометрические параметры полупроводниковых структур, которые заключаются в снижении прогиба и повышении плоскопараллельности, что снимает ограничения по диаметру изготавливаемых структур вплоть до диаметра 300 мм, а также повышает экологичность технологического процесса. Сущность: способ заключается в соединении монокристаллической подложки с рельефом на поверхности, полностью и/или частично покрытым диэлектриком и слоем поликристаллического кремния толщиной не менее 30 мкм, с опорной подложкой путем пульверизации слоя соединительного материала на обе подложки. В состав суспензии для пульверизации входят диоксид кремния аморфный мелкодисперсный, борная кислота и деионизованная вода. 7 з.п.ф-лы, 1 ил.