Патент №2229758 - Планарный силовой моп транзистор с блокирующим емкость стока барьером шоттки
Использование: в полупроводниковой силовой электронике, при конструировании полупроводниковых приборов - униполярных транзисторов с полевым эффектом, создаваемым изолированным затвором. Сущность изобретения: в планарном силовом МОП-транзисторе в стоковой диффузионной области создается область с барьером Шоттки с площадью значительно меньшей, по крайней мере в 10 раз, относительно площади диффузионной стоковой области, так что относительно большая выходная емкость стока блокируется малой емкостью барьера Шоттки. Техническим результатом изобретения является уменьшение выходной емкости планарного силового МОП транзистора. 4 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |