Патент №2237949 - Полупроводниковый элемент и способ его изготовления
Использование: в области силовой электроники. Сущность изобретения: в способе для изготовления полупроводникового элемента с катодом и анодом в полупроводниковую подложку со стороны анода вводят тормозную зону, затем формируют катодную структуру с противоположной стороны, после чего толщину подложки уменьшают на противоположной катоду стороне и в следующем шаге на этой стороне формируют анод. Полупроводниковый элемент полученный данным способом содержит со стороны анода тормозную зону, профиль плотности легирования тормозной зоны соответствует краевому участку профиля легирования. Техническим результатом изобретения является создание тонкого полупроводникового элемента, который может изготавливаться с небольшими затратами. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 21/332 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - тиристоров |
| МПК H01L 29/74 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией |