Патент №2239912 - Способ изготовления планарного силового моп транзистора

Использование: в полупроводниковой силовой электронике. Техническим результатом изобретения является уменьшение сопротивления открытого транзистора, уменьшение входной емкости, увеличение пробивного напряжения стока планарного силового МОП транзистора, повышение воспроизводимости параметров прибора. Сущность изобретения: между истоковой диффузионной областью и подзатворной областью сформирована область с изолирующим окислом (локосом) и диффузионная область в подложке под изолирующим окислом (локосом) одного с истоком типа проводимости, создающая вместе с изолирующим окислом около стока структуру, фиксирующую длину канала под затвором между истоком и стоком и расстояние между сильнолегированными областями истока и стока вне зависимости от точности совмещения слоев фотомасок для формирования затвора, изолирующего окисла, истока и стока. 4 ил, 1 табл.