Патент №2243614 - Силовой полупроводниковый модуль

Изобретение относится к области силовой электроники. Сущность: по меньшей мере один контактируемый с приложением давления полупроводниковый кристалл (4) электрически соединен через контактный элемент (8) с одним главным вводом (30). Контактный элемент (8) имеет две плоские контактные поверхности (81, 82), между которыми находится пружинный элемент (7). Независимо от положения и высоты отдельных кристаллов (4) соответствующий пружинный элемент (7) обеспечивает одинаковую силу контактирования. Опорный элемент (10) предотвращает механические перегрузки полупроводниковых кристаллов (4) при сжимании модуля. Технический результат изобретения состоит в создании силового полупроводникового модуля, в котором на все полупроводниковые кристаллы, независимо от их расстояния до второго главного ввода, действует одинаковое давление и в котором улучшена проводимость средств, предусмотренных для контактирования. 7 з.п. ф-лы, 2 ил.