Патент №2244366 - Фоторезистор на основе гетероэпитаксиальной структуры cdhgte (варианты)

Использование: для регистрации и измерения светового излучения. Фоторезистор на основе гетероэпитаксиальной структуры CdHgTe содержит диэлектрическую подложку, на которой закреплена, по крайней мере, одна подложка чувствительного элемента, выполненная из CdZnTe или GaAs, или Si, с размещенным на ней чувствительным элементом, выполненным в виде гетероэпитаксиальной структуры, состоящей из нижнего варизонного слоя CdxHg1-x Te, где х изменяется в интервале от 0,8±0,05 до 0,3±0,05 в направлении от подложки, рабочего слоя CdxHg 1-хТе, где х=0,3±0,05, верхнего варизонного слоя Cd xHg1-xTe, где х изменяется от 0,3±0,05 до 0,8 в направлении от подложки, и просветляющего покрытия. Также предложен второй вариант с измененным составом рабочего слоя и соответственно градиентом концентрации в варизонных слоях. Технический результат изобретения: расширение спектральной области чувствительности, устранение поверхностной рекомбинации и, как результат, обеспечение повышения интегральной обнаружительной способности. 2 с. и 10 з.п. ф-лы, 1 ил.