Патент №2265915 - Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотоэлектрических генераторов. Техническим результатом изобретения является увеличение выходного напряжения и мощности генератора, повышение производительности, технологичности. Сущность: способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем создания р-n-структур на полупроводниковой подложке, металлизации, разрезания заготовки на матрицы, нанесения просветляющего покрытия и присоединения токоотводов, многослойную n-р-структуру формируют методом эпитаксиального выращивания слоев n- и p- типа на полупроводниковой подложке, перед присоединением токоотводов на матрицы подают импульсное напряжение и пробивают обратносмещенные р-n-переходы. 6 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 31/18 | Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частейдля изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей вообще 21/00 |