Патент №2270490 - Способ изготовления тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для производства микроэлектронных устройств и дискретных элементов. Технический результат: повышение выхода годных резисторов по параметрам точности за счет уменьшения влияния неконтролируемых дестабилизирующих факторов в процессе осаждения резистивных пленок. Сущность изобретения: в способе изготовления тонкопленочных резисторов, включающем предварительную термообработку в вакууме подложек, установленных в подложкодержатели, путем радиационного нагрева и изотермической выдержки в течение 10÷15 мин, осаждение резистивной пленки на нагретые до температуры 340÷380°С подложки, их стабилизирующий отжиг при температуре осаждения в течение 30 мин, предварительную термообработку проводят при температурах, на 80÷100°С превышающих температуру осаждения, а осаждение резистивной пленки производят при выключенном нагревателе подложек. 1 табл.