Патент №2274929 - Полупроводниковый элемент и способ его изготовления

Использование: в силовой полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового элемента с катодом и анодом из полупроводниковой пластины сначала образуют на этой пластине стоповый слой, затем обрабатывают ее на стороне катода и только после этого уменьшают ее толщину, в результате чего от стопового слоя остается только концевая область отсечки. При этом стоповый слой легируют и уменьшают до концевой области отсечки таким образом, что становится возможной количественная оптимизация способа изготовления и тем самым получение утоненного полупроводникового элемента. При такой количественной оптимизации учитываются разные параметры и их соотношение между собой, в частности поверхностная концентрация легирующей примеси в концевой области отсечки, концентрация легирующей примеси на обращенной к аноду поверхности в концевой области отсечки, концентрация легирующей примеси базы, характеристическая длина спада или подъема профиля распределения легирующей примеси в концевой области отсечки и толщина образованной полупроводниковой пластиной базы между анодом и катодом. Техническим результатом изобретения является создание такого утоненного силового элемента, у которого будет оптимизирована толщина с учетом требуемой электрической прочности. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 7 ил.