Патент №2310176 - Полупроводниковый преобразователь давления

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с утолщенным периферийным основанием, с профилем, представляющим собой сочетание утонченных участков и жестких центров с концентраторами механических напряжений в месте расположения тензорезисторов. Мембрана выполнена из кремния, легирована бором и имеет толщину, равную высоте тензорезисторов с поверхностью, покрытых слоем двуокиси кремния. Тензорезисторы сформированы на закрепленном на мембране слое двуокиси кремния и выполнены из кремния, легированного бором до того же уровня концентрации, что и мембрана, объединены с помощью коммутационных шин в мостовую измерительную схему и имеют соединенные с ними металлизированные контактные площадки. Слой двуокиси кремния расположен только под тензорезисторами и коммутационными шинами, а поверхность мембраны со стороны тензорезисторов покрыта слоем нелегированного поликристаллического кремния. Техническим результатом изобретения является повышение надежности преобразователя, прочности мембраны, стабильности параметров, чувствительности. 1 ил.